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J-GLOBAL ID：200903005213049841

コンタクトホール形成方法およびプラズマエッチング方法

Inventor： 坂本 明久 ,  山根 徹也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998337068
Publication number (International publication number)：2000164571
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】エッチングの過程におけるトップ径の拡がりを抑制し、口径が縮小された微細コンタクトホールを形成することができるプラズマエッチング方法、およびこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】導電体層(半導体基板1)上に絶縁膜(層間絶縁膜2)を形成する工程と、絶縁膜上にレジスト3を成膜する工程と、レジストの露光・現像を行いレジスト3に開口を設ける工程と、レジストをマスクとして第1のエッチングを行い、レジスト表面にエッチングガスの反応物を堆積させながら絶縁膜の少なくとも一部を除去する工程と、エッチング条件の異なる第2のエッチングを行い、導電体層に達するコンタクトホールを開口する工程とを有するコンタクトホール形成方法およびそのプラズマエッチング方法。

Claim (excerpt)：

導電体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にレジストを成膜する工程と、前記レジストの露光および現像を行い、コンタクトホール形成領域上の前記レジストを除去する工程と、前記レジストをマスクとして第1のエッチングを行い、前記レジスト表面にエッチングガスの反応物を堆積させながら、前記絶縁膜の少なくとも一部を除去する工程と、前記レジストをマスクとして前記絶縁膜に、前記第1のエッチングとエッチング条件が異なる第2のエッチングを行い、前記導電体層に達するコンタクトホールを開口する工程とを有するコンタクトホール形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C

F-Term (27)：

4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104HH14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ26 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW10 ,  5F033XX03