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J-GLOBAL ID：200903005214965256

イオン注入装置

Inventor： 小方 誠司 ,  桜田 勇蔵 ,  千田 中哉 ,  久宗 武司
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995034675
Publication number (International publication number)：1996212965
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】[目的] イオン電流の大小に関わらず空間電荷の密度が一様なイオンビームを基板に高速で操作させ得るイオン注入装置を提供すること。[構成] 偏向電磁石6の内部に真空チャンバの一部としてのチャンバ部に偏向チャンバ7を設け、これに電場変調をかける。また上流側及び下流側の出口に近接して、電極5、8が設けられ、これらにより、偏向電磁石部では所定の磁場が与えられると共に、その両側では充分に負の電位が与えられる。これにより、イオン電流の空間電荷中和を保持しながら、あるいはこの偏向電磁石6から電子が上流及び下流に飛び出して、空間電荷中和が損なわれないようにして、電場変調により紙面内で偏向角を変えて、基板10に高速で一様なイオン密度で走査させることが出来る。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内でイオン源の前方に質量分離電磁石を配置し、該質量分離電磁石で選別されたイオンのイオンビームを基板に走査しながら照射するイオン注入装置において、前記質量分離電磁石の前方に前記イオンビームを基準軸に対して所定の面内で偏向させるための偏向電磁石を設け、前記イオンビームの通過する前記真空チャンバのうちで、前記偏向電磁石を設けているチャンバ部分を電気的に独立させ、さらに該偏向電磁石を通過するイオンの電位を変調させることにより、前記偏向電磁石での偏向角を変調させ、これにより前記基板上でビームを走査しながら該イオンを照射することを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-102677
  
• 特開昭61-233955
  
• イオン注入装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-185100   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-253149