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J-GLOBAL ID：200903005217346085

積層型固体撮像装置

Inventor： 松本 一哉
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993117571
Publication number (International publication number)：1994310699
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 入射線遮断出力を同一素子から出力させ、高S/N化を達成可能にした積層型固体撮像装置を提供する。【構成】 P型シリコン基板21と、該基板21とでホトダイオードを構成するN+拡散層23と、基板上に形成され、内部にN+ 拡散層23と接続する第1及び第2導電膜25a,25bを埋め込んだ層間絶縁膜24と、該層間絶縁膜24上に形成され、第2導電膜25bと接続する画素電極26と、該画素電極26上に形成された光電変換層28と、該光電変換層28上に形成された表面電極30とを有する積層型固体撮像装置において、光電変換層28に入射線が入射できる信号検出部Aと、表面電極30上に厚さ2μm程度の遮断膜200 を形成した入射線遮断部Bとを設ける。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、該基板表面に形成され、該基板とでホトダイオードを構成する第2導電型の半導体層と、前記基板上に形成され、内部に前記半導体層と接続する導電膜を埋め込んだ層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、前記導電膜と接続する画素電極と、該画素電極上に形成された光電変換層と、該光電変換層上に形成された表面電極とを有する積層型固体撮像装置において、検出用入射線を入射させる信号検出部と、前記入射線の入射を阻止する入射線遮断部とを備え、該入射線遮断部は前記表面電極上に厚さ2μm程度の遮断膜を設けて構成されていることを特徴とする積層型固体撮像装置。