位相シフトフォトマスクの修正方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：韮澤弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088374
Publication number (International publication number)：1994301195
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】位相シフトフォトマスク加工工程途中のレジストパターンの状態にて位相シフターパターンの欠陥の検査及び修正を行う。【構成】製造工程において、レジスト層15をパターニング後、レジストパターンの開口部より露出するハーフトーン遮光層13部分をエッチングして遮光パターンを形成した後のレジストパターン状態で、存在する残存欠陥16と欠落欠陥17の検査をし、残存欠陥16はレーザービームもしくは集束イオンビーム18にてレジスト層及び遮光層を共に昇華除去し、欠落欠陥17はピレン等のカーボンリッチな雰囲気下20での集束イオンビーム19照射によりカーボン膜21を堆積させて埋める。レジストパターンを修正した状態にて、位相シフター層14をエッチングガスプラズマ22にてエッチングした後、残存したレジストを剥離して、ハーフトーン型位相シフトレチクルが完成する。

Claim (excerpt)：

位相シフター層上に直接、又は、その上に設けた遮光層ないしハーフトーン遮光層を介してレジスト薄膜を形成し、このレジスト薄膜にパターン描画を行い、その後現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出した位相シフター層を直接又はその上に設けた遮光層ないしハーフトーン遮光層及び位相シフター層の順でエッチングして位相シフトフォトマスクを製造する工程において、前記位相シフター層のエッチング前に、前記レジストパターンの欠陥を検査及び修正をすることを特徴とする位相シフトフォトマスクの修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 V , H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平3-172844
特開昭62-215957

Cited by examiner (4)

特開平3-172844
特開昭62-215957
特開平3-172844

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