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J-GLOBAL ID：200903005226294233

マルチチツプモジユール基板

Inventor： 倉持 俊幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186733
Publication number (International publication number)：1993036858
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁物を介して導電体層が多層に形成されており、複数の半導体チップを搭載するマルチチップモジュール基板に関し、信号遅延を少なくして半導体装置の高速動作に対応しうるとゝもに、良好な放熱効果を有するマルチチップモジュール基板を提供することを目的とする。【構成】 基板1上に絶縁物3・4を介して導電体層2が多層に形成されてなるマルチチップモジュール基板において、少なくとも上面が導電体層2に覆われてなる絶縁物領域3は比誘電率の低い絶縁物よりなり、残余の絶縁物領域4は熱伝導率が大きく、また、熱膨張率の小さい絶縁物よりなるように構成される。

Claim (excerpt)：

基板(1)上に絶縁物(3・4)を介して導電体層(2)が多層に形成されてなるマルチチップモジュール基板において、少なくとも上面が導電体層(2)に覆われてなる絶縁物領域(3)は比誘電率の低い絶縁物よりなり、残余の絶縁物領域(4)は熱伝導率が大きく、また、熱膨張率の小さい絶縁物よりなることを特徴とするマルチチップモジュール基板。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/90 ,  H05K 3/46