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J-GLOBAL ID：200903005237550754

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 平島 利宣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169590
Publication number (International publication number)：2000012741
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 支持体に支持された半導体チップを樹脂封止体で封止してなる半導体装置の放熱性を高める。【解決手段】 表裏面のうちの一方の面に電極2が形成された半導体チップ1と、前記半導体チップ1の表裏面のうちの他方の面を支持する支持体5と、前記半導体チップ1を封止する樹脂封止体12とを有する半導体装置であって、前記半導体チップ1の他方の面は第一の面3A及びこの第一の面3Aよりも突出する第二の面3Bを有し、前記第一の面3Aは前記支持体5の表裏面のうちの一方の面に固定され、前記第二の面3Bは前記樹脂封止体12から露出している。

Claim (excerpt)：

表裏面のうちの一方の面に電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの表裏面のうちの他方の面を支持する支持体と、前記半導体チップを封止する樹脂封止体とを有する半導体装置であって、前記半導体チップの他方の面は第一の面及びこの第一の面よりも突出する第二の面を有し、前記第一の面は前記支持体の表裏面のうちの一方の面に固定され、前記第二の面は前記樹脂封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301

FI (4)：

H01L 23/28 J ,  H01L 23/28 A ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 301 B

F-Term (33)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DB03 ,  4M109DB20 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB12 ,  4M109FA03 ,  4M109GA05 ,  5F044AA01 ,  5F044BB20 ,  5F044BB22 ,  5F044BB25 ,  5F044FF04 ,  5F044GG07 ,  5F044JJ05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061DA03 ,  5F061DA04 ,  5F061DA05 ,  5F061DA06 ,  5F061DA07 ,  5F061DA12 ,  5F061DD12 ,  5F061DE02 ,  5F061DE04 ,  5F061EA01 ,  5F061FA05