低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001002113
Publication number (International publication number)：2001345317
Application date： Jan. 10, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】層間絶縁膜材料として適した低誘電率被膜の材料を提供する。さらに、低誘電率の被膜を有し、かつ信頼性の高い半導体装置を提供することである。【解決手段】低誘電率被膜形成材料は、シロキサン樹脂とポリカルボシランとを溶媒に溶解させて得られる。この溶液を用いて、シロキサン樹脂と、該シロキサン樹脂に結合したポリカルボシランとを含む低誘電率被膜が形成される。

Claim (excerpt)：

シロキサン樹脂とポリカルボシランとを溶解した低誘電率被膜形成材料。

IPC (8)：

H01L 21/312 , B32B 7/02 104 , B32B 27/00 101 , C08K 5/13 , C08L 83/04 , C08L 83/16 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (9)：

H01L 21/312 C , B32B 7/02 104 , B32B 27/00 101 , C08K 5/13 , C08L 83/04 , C08L 83/16 , H01L 21/316 G , H01L 21/90 S , H01L 21/90 Q

F-Term (93)：

4F100AA12 , 4F100AA20A , 4F100AA20C , 4F100AB10 , 4F100AB11 , 4F100AB17 , 4F100AB25 , 4F100AB40 , 4F100AD05 , 4F100AK52A , 4F100AK52C , 4F100AK54A , 4F100AK54C , 4F100AL05A , 4F100AL05C , 4F100AR00B , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA05 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100DD05 , 4F100DJ10A , 4F100DJ10C , 4F100EG002 , 4F100EH462 , 4F100EH662 , 4F100EJ052 , 4F100EJ152 , 4F100EJ422 , 4F100GB41 , 4F100JB01 , 4F100JG00B , 4F100JG05A , 4F100JG05C , 4F100YY00A , 4F100YY00C , 4J002CP03W , 4J002CP21X , 4J002EJ026 , 4J002GQ01 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BD10 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-222511
低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-301910 Applicant：富士通株式会社

Return to Previous Page