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J-GLOBAL ID：200903005239549745

酸化物の成膜方法

Inventor： 久野 忠昭 ,  宮下 悟 ,  青山 拓
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021850
Publication number (International publication number)：1998219462
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来のゾルゲル法では有機残基等が薄膜中に残存したり、酸化膜中の酸素の存在比が求める結晶系に対し低くなってしまったり、厚膜化が困難なこと等が課題であった。【解決手段】 有機金属化合物を原料とするゾルを基板に塗布後乾燥し、これに紫外線を照射してから高温に加熱する。必要に応じ塗布、乾燥、紫外線照射、加熱工程を繰り返す。または積層してから一括高温加熱する。また工程中の雰囲気を必要に応じ制御する。これらの酸化物をアニールすることで、酸化物結晶薄膜とする。

Claim (excerpt)：

有機金属化合物を原料とするゾルを基板に塗布し、ゲル化乾燥させた後、高温に加熱して酸化物薄膜とするゾルゲル法において、乾燥後に紫外線を照射してから高温に加熱することを特徴とする酸化物の成膜方法。