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J-GLOBAL ID：200903005239745501
カルコゲナイド半導体の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191209
Publication number (International publication number)：1994037357
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は高いキャリア濃度のp型カルコゲナイド半導体結晶の作製および良好なpn接合素子の作製を目的とする。【構成】 気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を添加した後、カルコゲナイド半導体層から水素元素を除去することを特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方法。
Claim (excerpt)：
気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を添加する工程と、前記カルコゲナイド半導体層から水素元素を除去する工程とを具備する事を特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方法。
IPC (2)：
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