Pat

J-GLOBAL ID：200903005241236789

炭素薄膜表面の分析方法

Inventor： 橋本 浩行 ,  渡邉 壮俊 ,  吉田 茂樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000321393
Publication number (International publication number)：2002131254
Application date： Oct. 20, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 炭素薄膜表面の微小かつ同一の領域における仕事関数と化学状態とを同一の装置で極めて容易に分析評価する。【解決手段】 真空容器1は、内部に試料ステージ4を備えるとともに、試料ステージ4に負のバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加機構8と、試料ステージ4上に載置された試料(炭素薄膜)5に対して一次電子6を照射する電子銃2と、一次電子6が照射された試料5からの電子7を分析する電子エネルギー分析器3とを有する。バイアス電圧印加機構8により試料ステージ4に負のバイアス電圧を印加しながら、炭素薄膜5の表面に電子銃2から一次電子6を照射し、炭素薄膜5からの二次電子7を電子エネルギー分析器3で観測して炭素薄膜5の表面の仕事関数を求めるとともに、炭素薄膜5から非弾性散乱する電子7のエネルギーを電子エネルギー分析器3によって計測することにより炭素薄膜5の表面の化学状態を求める。

Claim (excerpt)：

真空状態に保持可能な内部に試料ステージを備えるとともに、該試料ステージに負のバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加機構と、前記試料ステージ上に載置された試料に対して一次電子を照射する電子銃と、前記一次電子が照射された前記試料からの電子を分析する偏向分散方式の電子エネルギー分析器とを有する真空容器を用いた、炭素薄膜表面の分析方法であって、前記バイアス電圧印加機構により前記試料ステージに負のバイアス電圧を印加しながら、前記試料ステージ上に配置した前記試料としての炭素薄膜の表面に前記電子銃から電子を照射し、前記炭素薄膜からの二次電子が観測可能となるエネルギー位置から前記電子エネルギー分析器によって前記炭素薄膜の表面の仕事関数を求めるとともに、前記炭素薄膜から非弾性散乱する電子のエネルギーを前記電子エネルギー分析器によって計測することにより前記炭素薄膜の表面の化学状態を求めることを特徴とする、炭素薄膜表面の分析方法。

IPC (3)：

G01N 23/225 ,  G01N 23/20 ,  C23C 16/26

FI (3)：

G01N 23/225 ,  G01N 23/20 ,  C23C 16/26

F-Term (25)：

2G001AA03 ,  2G001AA09 ,  2G001BA07 ,  2G001BA14 ,  2G001BA16 ,  2G001CA03 ,  2G001DA01 ,  2G001EA03 ,  2G001EA04 ,  2G001FA02 ,  2G001GA01 ,  2G001GA04 ,  2G001GA09 ,  2G001KA01 ,  2G001KA12 ,  2G001KA20 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA03 ,  2G001PA07 ,  2G001RA04 ,  4K030BA27 ,  4K030HA14 ,  4K030HA17 ,  4K030KA39