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J-GLOBAL ID:200903005242858821

半導体装置用リードフレーム及びそのメッキ方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大塚 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992333645
Publication number (International publication number):1994163783
Application date: Nov. 19, 1992
Publication date: Jun. 10, 1994
Summary:
【要約】【目的】 製品機能を向上させ、安価に提供することができ、半導体装置の製造工程を簡略化して全工程を自動ライン化すると共に、外装半田メッキの化学処理による腐食を防止すること。【構成】 リードフレーム1の全面にNiメッキ2を施す。次に、リードフレーム1のチップ搭載部3、ワイヤボンディング部4の片側表面及び外部リード部5の両面に、外装半田メッキに代えてPdメッキ6を施す。Pdメッキ6は、各部分に対応する形状のスポンジ状の電気絶縁体7にPd又はPd-Ni合金メッキ液を含浸させてこれを押し当て、その上にPtメッキのTi陽極電極8を押し当てて、3〜4A/dm2の電流密度で10秒間置くことにより行う。これにより、従来のAgメッキを施したものと半導体チップの接合強度、ボンディングしたワイヤの引っ張り強度及び外部リードの半田ぬれ性について同等の特性を得る。
Claim (excerpt):
チップ搭載部、ワイヤボンディング部及び外部リード部を有する導電材から成る半導体装置用リードフレームにおいて、外部リード部に貴金属メッキを施したことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (4):
H01L 23/50 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  C25D 17/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-244653
  • 特開平4-311590
  • 特開平4-180590
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