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J-GLOBAL ID：200903005245345876

ガス-クラスターイオン-ビーム加工によるフィルム蒸着用の界面制御

Inventor： フェナー,デイビッド,ビー.
Applicant, Patent owner： エピオン コーポレイション
Agent (2)： 廣江 武典 ,  宇野 健一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001581335
Publication number (International publication number)：2004521476
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

表面結合の末端化および引き続いての反応性蒸着によって天然酸化物が無くなったシリコンウエハー上に薄いフィルムをガス-クラスターイオン-ビーム蒸着する方法が開示される。シリコンの表面の水素末端化は、それを、フィルムを蒸着するのに用いるもののごとき、酸素-含有環境ガス、真空系に残留するガスさえからの再酸化に対して不活性とする。窒素末端化は、上に存在する金属-酸化物の薄いフィルムでもって界面を改良する。該フィルムはシリコン結晶表面と親密に接触させて形成され、ほとんど理想的な界面を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体の表面から酸化物を除去し; 半導体の表面を水素末端とし; 半導体を真空環境に置き; 半導体の表面から揮発性物質を脱着させ; 半導体の表面をガス-クラスターイオンで衝撃して、該水素を除去し;次いで、 半導体の表面にフィルムを形成する; 工程を含むことを特徴とする半導体上へフィルムを蒸着する方法。

IPC (4)：

H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

FI (3)：

H01L21/316 A ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 444C

F-Term (13)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BE03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF76 ,  5F083AD21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083PR22