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J-GLOBAL ID:200903005250782796
受光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993011662
Publication number (International publication number):1994224458
Application date: Jan. 27, 1993
Publication date: Aug. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 受光素子の光感度を高くしかつ応答速度を高速にする。【構成】 CZ基板1にFZ基板2を接着し、FZ基板側を受光面とする。
Claim (excerpt):
低酸素濃度で高比抵抗のフローティングゾーン法により形成した半導体基板と、高酸素濃度のチョクラルスキー法により形成した半導体基板とを接着し、フローティングゾーン法により形成した半導体基板側を活性層とすることを特徴とする受光素子。
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