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J-GLOBAL ID：200903005262413290
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309835
Publication number (International publication number)：1994140602
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】 マスタースライスにて製造された所望のMOSFETの駆動能力を変更することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 (A)に示すように、シリコン基板31上にソース領域32、ドレイン領域33、層間絶縁膜34が設けられている。そして、ゲート領域上の層間絶縁膜34内には、p+ 型ポリシリコン35aと金属35bからなるp+ 型ゲート電極35が設けられている。次に、(B)に示すように、駆動能力を下げたいp型MOSFETのゲート電極35上の一部分以外の部分をフォトレジスト36でマスクする。そして、(C)に示すように、ドナー不純物を注入して、このマスクされていない部分のポリシリコン35aの導電型をn+ とする。その後、フォトレジスト36を除去して、不純物の拡散と活性化のために熱処理を行い、必要に応じて、(D)に示すような層間絶縁膜34aをさらに形成する。
Claim (excerpt)：
同一半導体基板上に複数のMOSFETを含む回路を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板に設けられた前記複数のMOSFETのゲート領域上に低濃度の不純物を導入した第1の導電型のポリシリコンゲート電極を設ける工程と、前記複数のMOSFETのうち所望のMOSFETの前記ポリシリコンゲート電極に前記第1の導電型と異なる第2の導電型とする不純物を高濃度導入して、前記所望のMOSFETのしきい値電圧を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/112
, H01L 27/118
, H01L 27/092
, H01L 29/784
H01L 27/10 433
, H01L 21/82 M
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 C
