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J-GLOBAL ID：200903005265097593
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997317886
Publication number (International publication number)：1999150127
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 機械的強度を向上させ、実装時における半導体素子のクラックや割れを低減して歩留りを改善した接地用バイアホールを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板11の一主面上に、ソース電極12、ゲート電極13、ドレイン電極14とを有する半導体素子が複数個配列せしめられている半導体装置であって、それぞれの当該半導体素子に設けられた個々のソース電極12に、当該基板11の反対側の主面から形成されたバイアホール16が接続されている半導体装置に於いて、少なくとも互いに隣接する当該個々のバイアホール16の断面形状が互いに異なる様に構成されている半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一主面上に、ソース電極を有する半導体素子が複数個配列せしめられている半導体装置であって、それぞれの当該半導体素子に設けられた個々のソース電極に、当該基板の反対側の主面から形成されたバイアホールが接続されている半導体装置に於いて、少なくとも互いに隣接する当該個々のバイアホールの断面形状が互いに異なる様に構成されている事を特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/3205
, H01L 29/41
H01L 29/80 U
, H01L 21/88 J
, H01L 29/44 Z
