メモリ装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095754
Publication number (International publication number)：2001284544
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】白金族等の貴金属からなる電極を有するキャパシタにおいて電極の加工時に白金族を含む再付着物により、キャパシタの上下電極がショートしてしまう。このショートが発生しない強誘電体メモリを提供する。【解決手段】キャパシタ第二の電極110を堆積する前に第一の電極107およびキャパシタ誘電体109の側面に絶縁膜108を形成することにより、第二の電極110加工時に再付着物が発生しても、再付着物が第一の電極107に触れショートすることを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されており、白金族等の貴金属からなる電極を有するキャパシタにおいてキャパシタの第二の電極がキャパシタ側面の絶縁膜形成後、成膜されることを特徴とするメモリ装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

F-Term (5)：

5F083AD21 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-252298 Applicant：新日本製鐵株式会社
高集積強誘電体メモリ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-156466 Applicant：三星電子株式会社
半導体メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-324574 Applicant：シャープ株式会社

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