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J-GLOBAL ID：200903005269560549

空間光変調素子の製造方法

Inventor： 滝沢 國治 ,  菊池 宏 ,  大杉 幸久 ,  丹下 正次 ,  本多 昭彦
Applicant, Patent owner： 日本放送協会 ,  日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094890
Publication number (International publication number)：1993265051
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光導電性結晶からなる光導電層を薄くできるようにし、これにより空間光変調素子の空間解像度を飛躍的に向上させることができるような、空間光変調素子の製造方法を提供することである。【構成】 ガラス基板2Aの透明電極膜3A側に光導電性結晶板を接着する。次いで、この光導電性結晶板を研削加工及び研磨加工して光導電層1Aを形成する。光導電層1A上に、遮光層5、誘電体多層膜6を設ける。ガラス基板2Aと2Bとの間にスペーサを含むシール材7を固定し、シール材7の内側に液晶材料を流し込んで光変調層8を形成する。ガラス基板2Aを構成する光学ガラスの熱膨張係数と、光導電性結晶板を構成する結晶の熱膨張係数との差を、40×10-7/°C以下とする。

Claim (excerpt)：

一方に透明電極膜が設けられたガラス基板を準備し、このガラス基板を構成する光学ガラスとの熱膨張係数の差が40×10-7/°C以下である結晶からなる光導電性結晶板を、前記ガラス基板の前記透明電極膜側に接着し、この光導電性結晶板を研削加工及び研磨加工して光導電層を形成し、次いでこの光導電層上に少なくとも光変調層と他方の透明電極膜とを設けることを特徴とする、空間光変調素子の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/137 ,  G02F 1/1335

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-110609
  
• 特開昭50-108975
  
• 特開昭57-005028