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J-GLOBAL ID：200903005280929015

回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置

Inventor： 西田 一人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178086
Publication number (International publication number)：1993050285
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 品質の良い半田付けが能率良く行える回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置を提供する。【構成】 リフローする回路基板12を、燃焼ガス5を燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田溶融を行う。また管状トラップ10の中に冷却触媒または冷却水を流し、トラップ10の外側に結露した水分を除去することにより燃焼ガス5の燃焼により発生する炉内の水分を除去する。これにより回路基板や部品の電極、およびクリーム半田が酸化されずに品質の良い半田付けが能率良く行える。

Claim (excerpt)：

リフローする回路基板を、気体を燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田を溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー方法。

IPC (4)：

B23K 31/02 310 ,  B23K 1/008 ,  H05K 3/34 ,  B23K101:42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-101373
  
• 特開昭62-101372
  
• 特開平4-371367
  
• 特開平3-268864