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J-GLOBAL ID：200903005291143013

単結晶育成方法

Inventor： 稲見 修一
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041247
Publication number (International publication number)：1997227280
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】的確に単結晶のテイル部を形成することができて、直胴部に有転位化を広げることなく収率良く単結晶を成長させることができる単結晶育成方法を提供する。【解決手段】坩堝内の原料を加熱ヒーターで溶融して溶融液とし、種結晶を前記溶融液の表面に接触させて引き上げることにより結晶を成長させる単結晶育成方法において、単結晶の直胴部を引上げてのち前記加熱ヒーターの加熱出力をを増加させて単結晶のテイル部を形成することを特徴とする単結晶育成方法。

Claim (excerpt)：

坩堝内の原料を加熱ヒーターで溶融して溶融液とし、種結晶を前記溶融液の表面に接触させて引き上げることにより結晶を成長させる単結晶育成方法において、単結晶の直胴部を引上げてのち前記加熱ヒーターの加熱出力を増加させて単結晶のテイル部を形成することを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (2)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502

FI (2)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 E