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J-GLOBAL ID：200903005300384622

半導体素子収納用パッケージ

Inventor： 芭蕉 義博 ,  井口 公明
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001289876
Publication number (International publication number)：2003100934
Application date： Sep. 21, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よく放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生する。【解決手段】基体1と、配線層6を有する枠状絶縁体2と、蓋体3とから成る半導体素子収納用パッケージであって、枠状絶縁体2はSi成分がSiO2に換算して25〜80重量%、Ba成分がBaOに換算して15〜70重量%、B成分がB2O3に換算して1.5〜5重量%、Al成分がAl2O3に換算して1〜30重量%、Ca成分がCaOに換算して0重量%を超えて30重量%以下含まれる焼結体で形成されており、かつ前記基体1は65乃至80重量%の炭化珪素と、20乃至35重量%の銅とから成る。

Claim (excerpt)：

上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、半導体素子の各電極が接続される配線層を有する枠状絶縁体と、前記枠状絶縁体上に取着され、枠状絶縁体の内側を気密に封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体はSi成分がSiO2に換算して25〜80重量%、Ba成分がBaOに換算して15〜70重量%、B成分がB2O3に換算して1.5〜5重量%、Al成分がAl2O3に換算して1〜30重量%、Ca成分がCaOに換算して0重量%を超えて30重量%以下含まれる焼結体で形成されており、かつ前記基体は65乃至80重量%の炭化珪素と、20乃至35重量%の銅とから成ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/08 ,  H01L 23/06 ,  H01L 23/373

FI (3)：

H01L 23/08 C ,  H01L 23/06 B ,  H01L 23/36 M

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB14 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13