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J-GLOBAL ID：200903005302056940

電荷蓄積容量素子及びその製造方法、半導体記憶装置及びこれを用いたIDカード

Inventor： 日高 修 ,  國島 巌
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998114374
Publication number (International publication number)：1999297963
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 後処理工程でキャパシタ性能が劣化しない白金族元素あるいはその合金を電極とした電荷蓄積容量素子及びその製造方法、さらにはこれが搭載された半導体記憶装置及び半導体記憶装置が搭載されたIDカードを提供する。【解決手段】 電荷蓄積容量素子の電極21、23表面の露出部分(電極が形成されている下地層13と接触している領域及び電極が誘電体膜22と接触して容量を形成している領域以外の部分)を自己整合的に形成された保護膜32、33で被覆する。電極表面の露出部分をシリサイド化しこれを保護膜としても良い。電極の露出部分を保護膜で被覆する、また、選択的にシリサイド化することにより白金族金属の露出を無くし、触媒効果を抑制する。その結果キャパシタ形成後における処理に制限をなくし、誘電体膜の特性劣化を防止することができる。とくに強誘電体膜の残留分極量の劣化を低く抑えることができる。

Claim (excerpt)：

誘電体膜と、前記誘電体膜の第1の面上に形成された第1の電極と、前記誘電体膜の第2の面上に形成された第2の電極とを備え、前記第1及び第2の少なくとも一方は白金族金属で形成され、その前記誘電体膜と直接接する界面以外の表面に保護膜が自己整合的に形成されていることを特徴とする電荷蓄積容量素子。

IPC (10)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371