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J-GLOBAL ID：200903005328912802

炭素薄膜の製造方法

Inventor： 北折 典之 ,  吉田 修 ,  佐々木 克己 ,  石川 准子
Applicant, Patent owner： 花王株式会社
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995209597
Publication number (International publication number)：1997052795
Application date： Aug. 17, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スパッタリングにより、よりダイヤモンドに近い特性を有する炭素薄膜を得ることのできる製造方法を提供すること。【解決手段】 基板、例えばインライン走行される磁気テープ5とグラファイトターゲット6との間にPt、Ni、Si、Mo、Cu、又はこれらの合金からなる補助手段を介在させてスパッタリングを行う。好ましくは、補助手段はターゲット6上に置かれるPt線又はNi線11である。

Claim (excerpt)：

スパッタリングにより基板上に炭素薄膜を製造する方法において、基板とターゲットの間にPt、Ni、Si、Mo、Cu、又はこれらの合金からなる補助手段を介在させてスパッタリングを行うことを特徴とする、炭素薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/04 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/56 ,  G11B 5/84

FI (7)：

C30B 29/04 M ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/34 T ,  C23C 14/38 ,  C23C 14/56 E ,  G11B 5/84 B