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J-GLOBAL ID：200903005331529866

半導体レーザ素子

Inventor： 本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  池上 隆俊 ,  別所 靖之 ,  ▲広▼山 良治 ,  賀勢 裕之
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992346629
Publication number (International publication number)：1994196805
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度特性,寿命特性に優れ、戻り光雑音を低減した自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板と、この基板上に形成されたn型AlGaInPクラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、この活性層5上に形成されたp型AlGaInPクラッド層7からなる半導体レーザ素子において、活性層5が(Al<SB>u</SB>Ga<SB>1-u</SB>)<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>P圧縮歪井戸層5aと(Al<SB>v</SB>Ga<SB>1</SB><SB>-v</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>P障壁層(0≦u<v)5bとが交互に積層されてなる圧縮歪量子井戸構造からなり、この活性層5の層厚が0.09μmより大で0.12μm以下、且つ(Al<SB>u</SB>Ga<SB>1-u</SB>)<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>P圧縮歪井戸層5aの組成比xが0.42≦x≦0.47である構成とした。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に形成された第1導電型のクラッド層と、該クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型のクラッド層とからなるダブルヘテロ構造を有する自励発振型半導体レーザ素子において、前記活性層が井戸層と障壁層とが交互に積層されてなる圧縮歪多重量子井戸構造からなることを特徴とする半導体レーザ素子。