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J-GLOBAL ID：200903005338680411
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063621
Publication number (International publication number)：1993267312
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、二層ポリシリコン・セルフアライン構造のバイポーラトランジスタを有する半導体装置に関し、ベース層に形成される接合容量を低減してトランジスタを高速動作させることを目的とする。【構成】第一導電型のコレクタ層3の上層部に形成された第二導電型の真性ベース層9と、前記真性ベース層9の側部に隣接して形成された第二導電型の外部ベース層10と、前記真性ベース層9の下に接合し、前記外部ベース層10に到達しない範囲に形成され、かつ、前記コレクタ層3よりも高不純物濃度に形成された第一導電型不純物層14と、前記真性ベース層9の上層部に形成された第一導電型のエミッタ層13とを含み構成する。
Claim (excerpt)：
第一導電型のコレクタ層(3)の上層部に形成された第二導電型の真性ベース層(9)と、前記真性ベース層(9)の側部に隣接して形成された第二導電型の外部ベース層(10)と、前記真性ベース層(9)の下に接合し、前記外部ベース層(10)に到達しない範囲に形成され、かつ、前記コレクタ層(3)よりも高不純物濃度に形成された第一導電型不純物層(14)と、前記真性ベース層(9)の上層部に形成された第一導電型のエミッタ層(13)とから構成されるバイポーラトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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