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J-GLOBAL ID：200903005339252154

不揮発性半導体メモリ装置

Inventor： 田中 義幸 ,  田中 智晴 ,  中村 寛 ,  大平 秀子 ,  岡本 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 保男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077948
Publication number (International publication number)：1993282883
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、所定単位データの他の所定単位へのコピー処理、消去ベリファイ動作等の所要の処理動作を高速に行うことを目的とする。【構成】 所定単位に分割されたデータ記憶領域を備えたメモリ手段1と、所定単位へのデータを読み出し動作によりラッチしこれを反転して再ラッチするラッチ手段2と、このデータの反転に基づいて所要の処理動作を実行する手段とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

所定単位に分割されたデータ記憶領域を備えたメモリ手段と、前記所定単位のデータを読み出し動作によりラッチするとともにこのラッチしたデータを反転し再ラッチするラッチ手段と、前記データの反転に基づいて所要の処理動作を実行する手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。