半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007172553
Publication number (International publication number)：2009008625
Application date： Jun. 29, 2007
Publication date： Jan. 15, 2009
Summary：

【課題】バーンイン試験の際に半導体装置内の温度制御の精度を向上させること。【解決手段】被テスト回路となるユーザロジック回路15の温度に応じた電圧Vfを出力する温度センサ12と、温度センサ12の出力電圧Vf、及び外部からのリファレンス電圧Vrefに基づいて制御電圧を出力するオペアンプ13と、オペアンプ13からの制御電圧に基づいて、ユーザロジック回路15に向けて出力するクロック信号clkの周波数を制御する電圧制御発振回路14と、を備える。温度センサ12は、入力された定電圧に基づいて、ユーザロジック回路15の温度に応じて出力電圧Vfを調整する温度ダイオード12aを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被テスト回路の温度に応じた電圧を出力する温度センサと、前記温度センサの出力電圧、及び外部からのリファレンス電圧に基づいて制御電圧を出力するオペアンプと、前記オペアンプからの制御電圧に基づいて、前記被テスト回路に向けて出力するクロック信号の周波数を制御する電圧制御発振回路と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

G01R 31/28 , G01R 31/26 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3)：

G01R31/28 V , G01R31/26 H , H01L27/04 T

F-Term (13)：

2G003AA07 , 2G003AC01 , 2G003AH05 , 2G132AA00 , 2G132AB03 , 2G132AK07 , 2G132AK29 , 2G132AL11 , 5F038AZ08 , 5F038DF01 , 5F038DT10 , 5F038DT16 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

バーンインテスト制御のためのシステム及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-271114 Applicant：株式会社東芝

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