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J-GLOBAL ID：200903005353903028
位相差露光法およびこれに用いる位相差マスク
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991252384
Publication number (International publication number)：1993090130
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 段差のあるウエハ面の上側および下側のいずれの面にも、1枚の位相差マスクによる同時露光によって、ウエハ全面に解像度良く、高精度にパターンを形成する位相差露光法および位相差マスクを提供する。【構成】 マスク基板に、互いに透過した光が干渉しない距離間隔で孤立パターンを形成する。各孤立パターンを、所要に応じて設けた遮光パターンと、位相差シフタと、この位相差シフタからの位相シフト光、または、マスク基板からの直接透過光とは位相がπラジアン以外の量だけ異なる位相差を与えるサブ位相シフタとで構成する。これら各孤立パターンを透過して得られる、互いに位相差の異なる複数の位相シフト光のみを干渉させるか、これら位相シフト光と孤立パターンの周辺光とを干渉させる。
Claim (excerpt)：
マスク基板からの直接透過光の位相に対して位相差が与えられている位相シフト光を用いて、このマスク基板に設けた2個以上の孤立パターンを段差のある感光層に位相差露光するに当たり、互いに異なる孤立パターンをそれぞれ露光するための光間同士の干渉を生じないように各孤立パターンを互いに離間させて設けておき、各孤立パターンの結像を、それぞれ自己の孤立パターンのみを透過して得られる、互いに位相差(位相差が零の場合も含む。)の異なる複数の位相シフト光のみを干渉させて、または、これら位相シフト光と当該孤立パターンの周辺の前記直接透過光とを干渉させて、得ることを特徴とする位相差露光法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 301 P
