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J-GLOBAL ID：200903005356146309

減圧気相成長装置

Inventor：
津留 清宏

About 津留 清宏


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツルメンツ株式会社

About セイコーインスツルメンツ株式会社


Agent (1)： 坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020622
Publication number (International publication number)：2003173979
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 減圧縦型気相成長装置において、ボートを保持する保温筒表面に成膜される反応生成物を抑え、パーティクルの低減を図る。【解決手段】 半導体ウェハ9を搭載したボート8を保持する保温筒7に原料ガスが直接噴出されないように、ロード・アンロード時にも反応管内に保持されているような場所にカバーを設置する。【効果】 保温筒に付着する生成物が低減されるので、ボートのロード・アンロード時の温度変動により生じる応力により、保温筒から離脱する生成物の量も低減されるので、パーティクルの発生を抑えることができる。
Claim 1：
原料ガス導入配管が反応管内の下端に設置されている減圧気相成長装置において、半導体ウェハを搭載したボートを保持する保温筒に原料ガスが直接接触しないように、前記反応管内に前記原料ガス導入管の噴出口と前記保温筒の間にカバーを設ける事を特徴とする減圧気相成長装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
F-Term (14)：
4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA12 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 減圧気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-003512   Applicant：日本電気株式会社
  • 薄膜形成装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-002206   Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
  • 特開平1-194415
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Cited by examiner (7)
  • 減圧気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-003512   Applicant：日本電気株式会社
  • 薄膜形成装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-002206   Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
  • 特開平1-194415
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