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J-GLOBAL ID:200903005357219830

光結合型半導体リレー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中井 宏行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006345585
Publication number (International publication number):2008159751
Application date: Dec. 22, 2006
Publication date: Jul. 10, 2008
Summary:
【課題】中空箱型状のパッケージ体で構成された光結合型半導体リレーにおいて、簡易な方法で電磁波ノイズを遮断できるようにする。【解決手段】上面を開口した中空箱体3と、上面の開口3dに被せられる蓋板2とを組み合わせて、中空箱型状のパッケージ体1を構成し、少なくとも発光素子4と受光素子5とを、パッケージ体1の内面となる蓋板2の裏内面2aと、箱体3の内底面3cとに相対的に対向配置させ、かつパッケージ体1の内面と外底面に所定の配線パターン7a、7bを配設した光結合型半導体リレー20において、パッケージ体1は、配線パターン7a、7bと接触しないようにして、導電性のシールド膜で形成された外皮6を備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
上面を開口した中空箱体と、該上面の開口に被せられる蓋板とを組み合わせて、中空箱型状のパッケージ体を構成し、少なくとも発光素子と受光素子とを、前記パッケージ体の内面となる蓋板の裏内面と、前記箱体の内底面とに相対的に対向配置させ、かつ前記パッケージ体の内面と外底面に所定の配線パターンを配設した光結合型半導体リレーにおいて、 前記パッケージ体は、前記配線パターンと接触しないようにした、導電性のシールド膜で形成された外皮を備えていることを特徴とする光結合型半導体リレー。
IPC (1):
H01L 31/12
FI (1):
H01L31/12 C
F-Term (5):
5F089AB03 ,  5F089AC11 ,  5F089AC26 ,  5F089CA11 ,  5F089CA12
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 半導体リレー
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2004-047203   Applicant:松下電工株式会社

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