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J-GLOBAL ID：200903005360622700
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 栄男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285000
Publication number (International publication number)：1993129320
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 立体的に配置された素子を有する半導体装置を容易に得ることができ、しかも製品の素子寸法が大きくなることを回避することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 p+型シリコン基板2上にn-型エピタキシャル成長層4を成長させ、このn-型エピタキシャル成長層4内にp+型拡散層31、エミッタ層32(p+型)及びn+型拡散層33を形成する。次に、基板2の背面にエッチングを施して背面凹部6を形成し、その後、背面凹部を通じてp+型拡散層31に達するようコレクタ層8(p+型)を形成する。こうして、容易にバーティカルpnp型トランジスタを得ることができる。又、後の工程においてコレクタ層8を形成する為、エピタキシャル成長によるコレクタ層8の再分布を回避できる。
Claim 1：
半導体基板の基板表面に形成された表面領域、半導体基板の基板背面に形成され、表面領域に向けて形成された背面凹部、背面凹部を通じて形成された背面領域、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/76
