Pat

J-GLOBAL ID：200903005366246638

GaN堆積ウエーハ及び光半導体装置

Inventor： 堀野 和彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995342456
Publication number (International publication number)：1997186404
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化学的研磨が容易で,また劈開による加工が可能なGaN薄膜堆積用基板を提供する。【解決手段】 AlN単結晶を基板1としてGaN系薄膜を堆積する。とくに(0001)面又は(1120)面を主面として主面に垂直な劈開を有する基板とする。

Claim (excerpt)：

AlN単結晶からなる基板と,該基板上に堆積された,GaN又はGaN混晶からなる薄膜とを有するGaN堆積ウエーハ。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 U