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J-GLOBAL ID：200903005367076531

炭化けい素電子デバイスの製造方法

Inventor： 荻野 慎次
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240769
Publication number (International publication number)：1995099169
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】n形SiC基体にオーム性電極としてNi電極を形成するときに、高温の熱処理を必要とせず、電極表面に導線ボンディングの支障になるグラファイトの析出がないようにする。【構成】SiC基体1上にNiとSiの同時蒸着によりNi-Si合金層2を形成するか、Si層、Ni層の順に蒸着したあと、700 °C以下の低温で熱処理すればNiSi2 ができ、基体と良好なオーム性接触を示す。そして、電極表面のグラファイト析出もない。

Claim (excerpt)：

n形炭化けい素基体上にニッケル組成が33〜67原子%のニッケル・けい素合金層を形成後、熱処理を施して炭化けい素基体上にオーム性電極を形成することを特徴とする炭化けい素電子デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43