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J-GLOBAL ID：200903005378672527
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134556
Publication number (International publication number)：1994069354
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】層間絶縁膜にクラックの発生が全くなく、かつ、アルミニウム配線にボイドの発生、断線の全くない多層配線構造の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】アルコキシフルオロシランの蒸気と水蒸気とを用いて50°C以下の温度で形成したフッ素含有の酸化シリコン膜4と、200°C以下の温度で焼成したスピンオングラス膜5をアルコキシフルオロシランの蒸気にさらすことによってスピンオングラス膜の縮合を室温で行い、これを平坦化材として用い、層間絶縁膜を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜を介して下層配線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面に酸化シリコンを主成分とする第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜上にシリコン化合物溶液の塗布および熱処理によりスピンオングラス膜を形成したのちその表面をフッ素化合物の蒸気にさらす工程と、このスピンオングラス膜上に酸化シリコンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程と、この第2の絶縁膜と前記スピンオングラス膜と前記第1の絶縁膜の所定の位置にコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を介し前記下層配線に接続する上層配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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