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J-GLOBAL ID：200903005379450188

半導体面発光レーザの製造方法

Inventor： 栗原 香 ,  浜尾 昇 ,  杉本 満則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000637
Publication number (International publication number)：1994112578
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】面発光レーザなどに用いられる半導体多層反射膜は、反射率を上げるためバンドギャップの大きく異なる2つの物質(例GaAsとAlAs)が使われる。このためヘテロ接合部においてバンドスパイクが生じ、抵抗の増大を招く。ここでの反射率を下げずに、抵抗の低減をはかる。【構成】図1のような基板において850°C15分程度の熱処理により半導体多層反射膜4,10のGaAsとAlAsの界面に相互拡散を生じさせ部分的にグレーデッド化させる。抵抗低減には10オングストローム程度のグレーデッド化で効果があり、しかも光の波長よりは十分小さいので反射率は低下しない。

Claim (excerpt)：

発光に与る活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ接合構造を、屈折率の異なる2種類の半導体を目的とする波長の4分の1の厚さで交互に成長させた多層反射膜で挟んだ積層構造体を形成する結晶成長工程と、前記積層構造体を熱処理する工程と、電極を形成する工程と、ドライエッチングを用いて前記積層構造体を円柱状に加工する工程とを少くとも備えたことを特徴とする半導体面発光レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-302085
  
• 特開平1-142710
  
• 特開昭61-168285