Pat
J-GLOBAL ID:200903005385098658
半導体装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992067130
Publication number (International publication number):1993275367
Application date: Mar. 25, 1992
Publication date: Oct. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 この発明は、セルフアライン-コンタクト技術に準ずる方法で、配線層相互間の絶縁性が良好となるコンタクト孔を形成できる半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。【構成】 第1の導電膜(14)上に障壁層(16,18) を形成し、障壁層(16,18) および導電膜(14)を一括してパタ-ニングし、第1の配線層パタ-ン(22)を形成する。次いで、配線層パタ-ン(22)を覆うように絶縁膜(28)を形成する。次に半導体基板(10)に到達する開口部(34)を、障壁層(16,18) をエッチングの障壁に用いて形成する。次に開口部(34)の側壁上にサイドウォ-ル(38A) を形成する。次に開口部を(34)介して基板(10)にコンタクトされる第2の配線層(40)を形成するようにしている。
Claim (excerpt):
半導体基板の表面上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、第1の導電膜を形成する工程と、前記第1の導電膜上に、障壁層を形成する工程と、前記障壁層および第1の導電膜を一括してパタ-ニングし、第1の配線層パタ-ンを形成する工程と、前記第1の配線層パタ-ンを覆うように前記基板の表面上方に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板に到達する開口部を、前記障壁層をエッチングの障壁に用いて前記第1、第2の絶縁膜を貫通させて形成する工程と、前記開口部の側壁上に、第3の絶縁膜で成るサイドウォ-ルを形成する工程と、前記開口部を介して前記基板にコンタクトされる第2の配線層パタ-ンを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
, H01L 21/336
, H01L 29/784
FI (2):
H01L 21/88 B
, H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
特開昭54-055384
-
特開平4-014226
-
特開平3-016171
Return to Previous Page