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J-GLOBAL ID:200903005386634774
半導体装置及びその製造方法並びにその製造装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995303984
Publication number (International publication number):1997148353
Application date: Nov. 22, 1995
Publication date: Jun. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 キャビティダウン方式でLSIを組み立てる場合、パッケージを樹脂封止するにあたり、キャビティ内における気泡の発生を防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】 半導体チップ6の裏面を取り付けている放熱板3に樹脂注入用貫通穴11を設けて、この樹脂注入用貫通穴11を通じて注入された樹脂12を半導体チップ6が配置されているキャビティ1内に充填してパッケージ5を封止する。これにより、樹脂12をキャビティ1内に注入するとき、樹脂12はボンディングワイヤ10の裏側である放熱板3の樹脂注入用貫通穴11から注入されてキャビティ1内に充填されるので、半導体チップ6の周囲にボンディングワイヤ10が密集していても、これらボンディングワイヤ10の裏側に樹脂12は十分に充填されるようになる。従って、各ボンディングワイヤ10の裏側に気泡は発生しないので、LSIの組立終了後に温度サイクルなどの熱ストレスが加っても、何ら問題は生じない。
Claim (excerpt):
キャビティを有する配線基板と放熱板とを一体化してパッケージを構成し、前記キャビティ内に裏面を前記放熱板に取り付けた半導体チップを配置するとともに、半導体チップの表面と前記配線基板との間にワイヤをボンディングした半導体装置であって、前記放熱板に樹脂注入用貫通穴を設け、この樹脂注入用貫通穴を通じて注入された樹脂をキャビティ内に充填して前記パッケージを封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/36
FI (4):
H01L 21/56 T
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 P
, H01L 23/36 D
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