気相成長装置および気相成長方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007159024
Publication number (International publication number)：2008311507
Application date： Jun. 15, 2007
Publication date： Dec. 25, 2008
Summary：

【課題】複数の基板に対して均一な特性の薄膜が形成される気相成長装置および気相成長方法、を提供する。【解決手段】気相成長装置10は、反応室11と、反応室11に設置されるサセプタ22と、複数種類のガスを導入するガス導入管13とを備える。サセプタ22は、複数の基板25を保持する周辺部と、周辺部に取り囲まれた中心部とを含む。ガス導入管13は、複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有する。ガス導入管13は、中心部22tに向けてガスを流す中間多重管16と、中間多重管16に流れるガスを方向転換させ、サセプタ22の中心部から周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部17とを含む。ガスは、中間多重管16におけるガスの流れ方向とは異なる方向から中間多重管16に流入する。気相成長装置10は、中間多重管16に配置される整流板41をさらに備える。【選択図】図1

Claim 1：

反応室と、複数の基板を保持する周辺部と、前記周辺部に取り囲まれた中心部とを含み、前記反応室に設置されるサセプタと、複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有し、前記反応室にガスを導入するガス導入管とを備え、前記ガス導入管は、前記中心部に向けてガスを流すガス流通部と、前記ガス流通部に流れるガスを方向転換させ、前記中心部から前記周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部とを含み、ガスは、前記ガス流通部におけるガスの流れ方向とは異なる方向から前記ガス流通部に流入し、さらに、前記ガス流通部に配置される整流部材を備える、気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/455

F-Term (23)：

4K030BB01 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA12 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB08 , 5F045DP11 , 5F045DP13 , 5F045DP14 , 5F045EE20 , 5F045EF02 , 5F045EF04 , 5F045EF08 , 5F045EF13 , 5F045EF14 , 5F045EF15 , 5F045EF20 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-028010 Applicant：スタンレー電気株式会社
気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-145690 Applicant：日本電気株式会社
特開昭60-98618号公報

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Cited by examiner (3)

気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-032222 Applicant：広島日本電気株式会社
半導体デバイスの製造方法及びこの方法を実施する装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-529299 Applicant：ユニフェイズオプトホールディングスインコーポレイテッド
縦型拡散炉
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325850 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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