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J-GLOBAL ID：200903005400303794
半導体発光装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998089951
Publication number (International publication number)：1999289110
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 フリップチップ型の半導体発光装置において主光取出し面側以外に漏れ出る光を効率よく反射させて発光輝度を向上させる。【解決手段】 静電気保護用のツェナーダイオード7をリードフレーム6のマウント部6aに搭載し、フリップチップ型の発光素子1をツェナーダイオード7の上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とし、その上面がツェナーダイオード7の上端よりも上側で且つ発光素子1の発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールド10をマウント部6a内に充填し、発光層からの光を樹脂モールド10により主光取出し面方向に反射させる。
Claim (excerpt)：
静電気保護素子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、その上面が前記静電気保護素子の上端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マウント部内に充填してなる半導体発光装置。
FI (2)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
