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J-GLOBAL ID：200903005411183928

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 五福 伊八郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993168419
Publication number (International publication number)：1995074169
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置のコンタクト部において、複雑な工程や、コストの増加のない構造及び方法により、低融点金属の拡散を抑制し、素子特性の劣化がない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置のコンタクト部において、上層に少なくとも低融点金属を含む金属または金属シリサイド113、下層にp型不純物を含むIV族多結晶半導体材料111を配した構成よりなり、前記IV族多結晶半導体材料層111への不純物注入工程が、ゲルマニウム、錫、燐、砒素、アンチモン、ガリウム、インジウムの内の少なくとも一元素を注入する第1の注入工程と、該元素の注入後にp型の不純物を注入する第2の注入工程との2工程によって行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法、及びそれによる半導体装置。

Claim (excerpt)：

半導体領域と、該半導体部に被着された絶縁膜と、該絶縁膜に形成された開口部を介して該半導体領域に接続される配線部とからなる半導体装置において、前記配線部は、上層に少なくとも低融点金属を含む金属または金属シリサイド、下層にp型不純物を含むIV族多結晶半導体材料を配した構成よりなり、かつ該IV族多結晶半導体材料層に、ゲルマニウム、錫、燐、砒素、アンチモン、ガリウム、インジウムの内少なくとも一元素が注入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C