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J-GLOBAL ID：200903005416906715

半導体プロセスガス用バルク供給装置とこれを使用したガス供給方法

Inventor：
羽坂 智

About 羽坂 智

, 
黒岩 誉

About 黒岩 誉


Applicant, Patent owner：
日本酸素株式会社

About 日本酸素株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371664
Publication number (International publication number)：2000195806
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体プロセスガスを半導体製造装置に高純度を維持して、大量に継続して供給することが可能なバルク供給装置とこれを使用した供給方法の提供。【解決手段】 半導体プロセスガスを充填したバルク供給容器ユニット1を半導体製造プロセス装置に連通してなるガス供給設備11に、接続配管12を介して連結してなる半導体プロセスガス用バルク供給装置10であって、前記バルク供給容器ユニット1に不活性ガスを充填したパージガス用容器50を設備した装置であり、バルク供給容器ユニット1の交換時の接続配管12と連結に当って、パージガス容器50よりパージガスを配管内に通気させながら連結して、大気成分の侵入を防止し、又、連結後に、系の配管内への[前記パージガスの導入]ー[これを排気管27より大気への放出・真空排気]を繰り返すパージ処理をした後、半導体プロセスガスを各プロセスライン配管17乃至20より供給する。
Claim (excerpt)：
半導体プロセスガスをガス供給調整設備を介して半導体製造プロセスラインに供給するため、前記ガス供給調整設備に半導体プロセスガスを大容量充填した半導体プロセスガス用のバルク供給容器ユニットを連結してなる半導体プロセスガス用バルク供給装置において、前記半導体プロセスガス用のバルク供給容器ユニットに高純度のパージガスを充填したパージガス用容器を設備してなることを特徴とする半導体プロセスガス用バルク供給装置。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  F17C 9/00 ,  H01L 21/22 501
FI (3)：
H01L 21/205 ,  F17C 9/00 Z ,  H01L 21/22 501 S
F-Term (11)：
3E073AA01 ,  3E073AB08 ,  3E073BA02 ,  3E073DB03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045EB12 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045EE14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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