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J-GLOBAL ID：200903005423232495

金属表面の粒界腐食方法

Inventor： 和田 泰孝 ,  新谷 静馬 ,  上門 正樹
Applicant, Patent owner： 中国電力株式会社
Agent (1)： 一色国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005183854
Publication number (International publication number)：2006038840
Application date： Jun. 23, 2005
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：

【課題】結晶粒表面の過剰な金属腐食を抑えて、不動態皮膜をムラなく確実に形成でき、また、再不動態化最小電位にて掃引の停止・保持をすることなく、粒界部の不動態皮膜を選択的に破壊して金属腐食させ得る方法を提供する。【解決手段】金属表面の腐食対象部位を電解液に接しさせて電位を加え、該電位を自然電位(1)から不動態化電位(2)を超えた任意値の折り返し点(R)まで上昇方向に掃引し、腐食対象部位に不動態皮膜を形成する。爾後、該電位を再不動態域と活性態域とを通過させて自然電位(1)まで逆掃引し、結晶粒界部を選択的に腐食させる。自然電位(1)から不動態化電位(2)までは早い速度で掃引し、結晶粒全体の腐食を抑制しつつ腐食対象部位を活性化させる。不動態化電位(2)から折り返し点(R)を経て自然電位(1)に戻す際に、少なくとも逆掃引時の再不動態化最小電位(8)迄は遅い速度で掃引して粒界部の溶解を促進する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

金属表面の腐食対象部位を電解液に接しさせて電位を加え、該電位を自然電位から活性態域を通過させて不動態化電位を超えた任意値まで上昇方向に掃引して、腐食対象部位に不動態皮膜を形成した後、該電位を下降方向に逆掃引して再不動態域と再活性態域とを通過させて前記自然電位まで降下させることにより、金属表面の結晶粒界部を選択的に腐食させる金属表面の粒界腐食方法であって、 前記自然電位から不動態化電位までの活性態域では、結晶粒全体の腐食を抑制しながら被腐食対象部位を活性化すべく早い速度で掃引する、 ことを特徴とする金属表面の粒界腐食方法。

IPC (4)：

G01N 17/02 ,  G01N 27/26 ,  G01N 33/20 ,  G01N 27/416

FI (4)：

G01N17/02 ,  G01N27/26 351C ,  G01N33/20 N ,  G01N27/46 301M

F-Term (23)：

2G050AA01 ,  2G050AA07 ,  2G050BA01 ,  2G050CA04 ,  2G050DA01 ,  2G050EA01 ,  2G050EA06 ,  2G050EB04 ,  2G050EB07 ,  2G050EC01 ,  2G055AA03 ,  2G055BA05 ,  2G055BA06 ,  2G055BA09 ,  2G055BA12 ,  2G055CA07 ,  2G055CA25 ,  2G055CA26 ,  2G055DA08 ,  2G055EA06 ,  2G055EA08 ,  2G055FA02 ,  2G055FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 経年脆化検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-027017   Applicant：株式会社東芝