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J-GLOBAL ID：200903005423459368

集積回路構造及び形成方法(高移動度平面CMOSSOI)

Inventor： ブレント・エイ・アンダーソン ,  メイケイ・イオン ,  エドワード・ジェイ・ノワク
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005085789
Publication number (International publication number)：2005294828
Application date： Mar. 24, 2005
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】特定のデバイスに最適な性能を与える異なる結晶方位を有する1つの基板上に形成された集積半導体デバイスを提供する。【解決手段】少なくとも2つのタイプの結晶方位を有する基板を備える集積回路構造を開示する。第1のタイプの結晶方位を有する該基板の第1の部分の上に、第1のタイプのトランジスタ(例えばNFET)を形成し、第2のタイプの結晶方位を有する該基板の第2の部分の上に、第2のタイプのトランジスタ(例えばPFET)を形成する。この基板の第1の部分のうちのいくつかの部分は非浮遊基板部分を含み、基板の第1の部分の残りと全ての第2の部分とが、浮遊基板部分を含む。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

少なくとも2つのタイプの結晶方位を有する基板と、 第1のタイプの結晶方位を有する前記基板の第1の部分の上に形成された第1のタイプのトランジスタと、 第2のタイプの結晶方位を有する前記基板の第2の部分の上に形成された第2のタイプのトランジスタとを含む集積回路構造であって、 前記基板の前記第1の部分のうち選択された部分が、非浮遊基板部分を含み、 前記基板の前記第1の部分の残りの部分と前記第2の部分の全てとが、浮遊基板部分を含む、集積回路構造。

IPC (4)：

H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

FI (6)：

H01L29/78 613A ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618C

F-Term (34)：

5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA02 ,  5F048BA10 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BC19 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110HM02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願第10/708586号
  

Cited by examiner (2)

• 特開平4-372166
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-160221   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション