Pat

J-GLOBAL ID：200903005429351658

半導体装置

Inventor： 木村 寛之
Applicant, Patent owner： セイコーインスツル株式会社
Agent (1)： 松下 義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005051196
Publication number (International publication number)：2006237364
Application date： Feb. 25, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】異方性導電部材を用いて半導体チップと回路基板を異方性導電粒子の捕捉数を十分に確保させ、かつ、絶縁性を低下させずに接続することを目的とする。【解決手段】複数の突起状電極が形成された半導体装置において、突起状電極11、12等が一直線上に整列されずに形成された半導体チップ1と、配線層7が形成され、表面に前記突起状電極に対応した複数の回路基板電極が形成された回路基板8と、絶縁性樹脂6及びこの絶縁性樹脂中に分散された導電性粒子からなり、前記半導体チップと前記回路基板とを熱圧着することにより、前記突起電極11、12等と前記回路基板電極7との間に前記導電性粒子を捕捉させて前記半導体チップ1と前記回路基板8とを接合する異方性導電部材6とを有する構成とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

突起状電極が形成された半導体チップと、前記突起状電極に対応した複数の回路基板電極が表面に形成された回路基板と、絶縁性樹脂及びこの絶縁性樹脂中に分散された導電性粒子からなり、前記半導体チップと前記回路基板とを熱圧着することにより、前記突起電極と前記回路基板電極との間に前記導電性粒子を捕捉させて前記半導体チップと前記回路基板とを接合する異方性導電部材とを有する半導体装置において、 前記半導体チップに多数形成された隣接する突起状電極の中で、複数の突起状電極の共通接線が半導体チップの端面と平行な一本の接線とならないように突起状電極が形成された半導体チップであることを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 21/60

FI (1)：

H01L21/60 311S

F-Term (3)：

5F044KK12 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-048851   Applicant：松下電器産業株式会社