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J-GLOBAL ID：200903005435661316
電界放出型素子とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992072531
Publication number (International publication number)：1993174703
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電子放出電圧が低く、電気特性が安定した電界放出型素子を再現性、均一性よく製造する。【構成】 電界放出型素子を構成する冷陰極10が、その先端部に鋭く尖った突起をもち、該突起と胴体部は連続曲線状のつながりをもつ形状を有する。その製造方法は、シリコン基板1上にキャビティを形成し、キャビティを酸化して形成された鋳型を用いて冷陰極を形成する。電界放出型素子の製造は、冷陰極10とゲート電極11の間隔を酸化シリコン膜9の膜厚などで決め、位置決めはシリコン基板1中の埋め込み酸化シリコン膜や電気化学的エッチングによるエッチストップ技術などを用いて行う。【効果】 冷陰極の電子放出電圧が低く、電気特性の安定性、寿命を向上できる。先鋭な冷陰極と、冷陰極から非常に近い位置に精度よく設置されたゲート電極とをもつ複数の電界放出型素子を均一に再現性よく製造できる。
Claim (excerpt)：
先端に鋭く尖った突起と、該突起と連続曲線状のつながりをもつ形状を有する胴体部とを備えた冷陰極を有する電界放出型素子。
IPC (3)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01L 21/306
