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J-GLOBAL ID：200903005447156773
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233848
Publication number (International publication number)：1993047842
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 熱膨張係数に伴う応力による接続端子におけるクラックや剥離の発生を防止する。【構成】 基板21にシリコンペレット11がCCBされた半導体装置において、アルミナセラミックから成るベース22に横弾性率の小さい材料から成る保護絶縁層29を形成するとともに、この保護絶縁層29に縦溝33をペレットを取り囲むように形成する。【効果】 アルミナセラミックとシリコンとの熱膨張係数差に基づく熱的変動時における基板21とペレット11との変形量の差を、保護絶縁層29の縦溝33の塑性変形によって吸収することができるため、その変形量差による基板21における応力を抑制することができる。その結果、CCBによる接続端子34における剥離やクラックの発生を未然に防止することができる。
Claim (excerpt)：
電子回路が作り込まれた半導体ペレットが、絶縁基板に接続端子を介して機械的かつ電気的に接続されている半導体装置において、前記絶縁基板における半導体ペレット接続側主面に、縦溝が半導体ペレットを取り囲むように没設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
