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J-GLOBAL ID：200903005452194110

半導体レーザ素子

Inventor： 内田 憲治 ,  田中 俊明 ,  渡辺 明禎 ,  赤松 正一 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995060304
Publication number (International publication number)：1996264875
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、窒化物系化合物半導体から構成されるレーザ素子を個々に分離する際に、光利得を発生する活性層の結晶面を傷つけることなく分離することにある。【構成】 基板上1に長方形状またはストライプ状の垂直な段差領域を形成し、その基板上に窒化物系化合物半導体からなるレーザ素子を結晶成長する。その結果、素子構造の活性層7と基板1が接した状態の構造になる。さらに、光利得を発生する活性層の光軸に対し、その基板が垂直に位置し接する構造にする。これらのレーザ素子構造の形成は、基板にSiO2等の絶縁膜マスクを用いてドライエッチング等により段差領域を形成た基板上に、有機金属気相成長法等により選択成長することによって実現できる。【効果】 窒化物化合物半導体レーザのレーザ発振に不可欠である共振器構造が容易に作製できる効果がある。

Claim (excerpt)：

段差領域を形成した基板上にレーザ素子構造を形成し、素子構造の活性層が該基板に接することにより1対の共振器構造が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物からなる半導体レーザ素子。