Pat
J-GLOBAL ID：200903005459047244
プロセスモニター用電界効果トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993004414
Publication number (International publication number)：1994260512
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電極間隔を工程中に容易に非破壊で測定することができるプロセスモニター用の電界効果トランジスタを提供する。【構成】 半導体基板上に近接して二個の電界効果トランジスタが夫々のソース電極およびドレイン電極をゲート電極の長手方向の線と線対称に、かつゲート電極同士を互いに電気的に独立させて配置されていることを特徴とするプロセスモニター用電界効果トランジスタ。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に近接して二個の電界効果トランジスタが夫々のソース電極およびドレイン電極をゲート電極の長手方向の線と線対称に、かつゲート電極同士を互いに電気的に独立させて配置されていることを特徴とするプロセスモニター用電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
