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J-GLOBAL ID：200903005470031260
半導体交流スイツチ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186801
Publication number (International publication number)：1993015143
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 この発明はGTOに設けられたスナバ回路のスナバコンデンサの充電電圧VCPを低減できるとともに、GTO及び転流用ダイオードの電圧定格を低減でき、低損失で安価な半導体交流スイッチを得ることを目的としている。【構成】 交流母線の各相a,b,cに同一方向に接続された自己消弧形半導体素子1a,1b,1cのそれぞれに、抵抗器6、コンデンサ5、ダイオード4でなる有極性のスナバ回路を設けるとともに、前記各自己消弧形半導体素子1a,1b,1cのアノード側に正極性半波整流器13の交流側を接続し、カソード側に負極性半波整流器11の交流側を接続し、前記各半波整流器13、11の直流側間にクランプコンデンサ12を接続してなる電圧クランプ回路を設けたものである。
Claim (excerpt)：
ダイオードが逆並列接続された自己消弧形半導体素子を交流母線の各相に同一方向に接続してなる半導体交流スイッチにおいて、前記各自己消弧形半導体素子のそれぞれに、有極性のスナバ回路を設けるとともに、前記各自己消弧形半導体素子のアノード側に正極性半波整流器の交流側を接続し、カソード側に負極性半波整流器の交流側を接続し、前記各半波整流器の直流側間にクランプコンデンサを接続してなる電圧クランプ回路を備えたことを特徴とする半導体交流スイッチ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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