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J-GLOBAL ID：200903005471290189

半導体装置の製造方法

Inventor： 林 早苗
Applicant, Patent owner： 山口日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067811
Publication number (International publication number)：1994151710
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】トレンチ型のキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、トレンチ表面のP+ 型拡散層とチャネルストッパーとを、分離して形成する。【構成】トレンチ6a形成の初期段階では等方性エッチングを用い、その後、異方性エッチングを用いる。このような形状のトレンチ6aに対してB+ のイオン注入を行なうと、トレンチ6aの表面に形成されるP+ 型拡散層7aは、P+ 型のチャネルストッパー5とは離れて形成される。

Claim 1：

シリコン基板の表面に選択的に設けられたP型のチャネルストッパーと絶縁膜とからなる素子分離層の近傍に、トレンチ型のキャパシタを形成する半導体装置の製造方法において、フォトレジストをマスクにして、前記シリコン基板の等方性エッチングを行なった後、前記シリコン基板の異方性エッチングを行ない、トレンチを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクにして、傾斜回転イオン注入法により、前記トレンチに露出した前記シリコン基板の表面にP型の拡散層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108