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J-GLOBAL ID：200903005481663480

高表面積を有するスピネルLiM▲n2▼O▲4▼の製造方法とその非水電池への応用

Inventor： 芳尾 真幸 ,  小沢 昭弥 ,  ブイ マネフ ,  野口 英行
Applicant, Patent owner： 芳尾 真幸 ,  小沢 昭弥
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993100025
Publication number (International publication number)：1994275276
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、高エネルギー密度型のリチウム二次電池用正極物質として使用する2m2/g以上の高い比表面積を有するLiMn2O4の製造方法を提供する。【構成】 硝酸リチウムあるいは水酸化リチウムと比表面積80m2/g以上を有する電解あるいは化学合成二酸化マンガンを450°C以下で焼成し、非晶質歪スピネル構造のLiMn2O4を合成後、再度熱処理(600-750°C)する二段階熱処理を特徴とする2m2/g以上の比表面積を有する結晶性LiMn2O4の製造方法。

Claim (excerpt)：

硝酸リチウムと比表面積80m2/g以上を有する電解あるいは化学合成二酸化マンガンを450°C以下で焼成し、非晶質歪スピネル構造のLiMn2O4を合成後、再度熱処理(600-750°C)する二段階熱処理を特徴とする2m2/g以上の比表面積を有する結晶性LiMn2O4の製造方法。硝酸リチウムの代わりに水酸化リチウムを用いてもよい。

IPC (3)：

H01M 4/58 ,  H01M 4/04 ,  H01M 10/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電気化学セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-212988   Applicant：テクノロジー・フアイナンス・コーポレイシヨン(プロプライアタリイ)・リミテツド